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              產品介紹

              NAND Flash

              SK hynix 于2004年 2月成功開發出以120nm技術為基礎的512Mb MLC產品,并且在最短的時間內投入量產,繼2012年開發20nm技術后,2013年成功開發16nm技術并投入量產。以最高水平的技術力與品質管理作為基礎,正在生產SLC(Single Level Cell)、 MLC(Multi Level Cell)、TLC(Triple Level Cell) 等Type的產品;QDP (Quad DIE Package)、 ODP (Octa DIE Package) 等 High Stack 產品;適用于智能手機、平板電腦、固態硬盤(SSD)等產品。

              DRAM

              SK hynix 在DRAM領域擁有業界最高水平的微細工藝技術,保證世界最高水平的DRAM穩定性,生產可以處理 High Speed Data的Graphic DRAM、適用于各種數碼產品的Consumer DRAM、適用于PC、Notebook及服務器的Computing DRAM,適用于攜帶用Application的Mobile DRAM。

              以2013年開發的25nm技術為基礎,于2014年成功開發20nm技術的產品,通過不斷進行創新性研究,保持業界最高的技術力量,保證客戶對品質的要求。在設計階段不僅考慮高性能(High Speed)、高容量(High Density),而且考慮低電力消耗,開發環保型產品,以環保型產品的開發和量產為目標引領產品的開發。